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Laboratório de Amostras Microscópicas (LAM)

O Laboratório de Amostras Microscópicas (LAM) atua como um laboratório de apoio para as linhas de luz, cujo principal propósito é a preparação de amostras avançadas. A infraestrutura do LAM está dividida em dois setores: Laboratório de Microscopia Eletrônica e de Microscopia ótica, ambos laboratórios oferecem ferramentas tanto para produção das amostras quanto para caracterizações complementares aos experimentos nas linhas de luz.

CONTATO & EQUIPE

Tel. da Instalação: +55 19 3517 5140

Coordenação: Ingrid D. Barcelos
Tel.: +55 19 3518 2517
E-mail: ingrid.barcelos@lnls.br

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INSTALAÇÕES E EQUIPAMENTOS

HELIOS 5 PFIB CXE DUALBEAM

Especificações

Microscópio eletrônico de feixe duplo que combina um microscópio de feixe de íons focalizado (FIB) e um microscópio eletrônico de varredura (SEM). Possui um canhão de elétrons com tensão de aceleração entre 350V e 30kV e um canhão de plasma de Xe+ com tensão de aceleração entre 500V e 30kV, eliminando a contaminação da amostra por Ga+. Permite aquisição de imagens de elétrons secundários (SE) com resoluções de até 0,6 nm, e possui detectores de espectroscopia de raios-X por dispersão em energia (EDS), de difração de elétrons retroespalhados (EBSD) e catodoluminescencia. Possui nanomanipulador e sistema de injeção de gases (GIS) para deposição de materiais, realiza cortes transversais e de micro usinagem, além da preparação de amostras de alta qualidade para Tomografia e para Microscopia Eletrônica de Transmissão (TEM). Por atingir baixas tensões de aceleração, de até 500V, possibilita a realização de um polimento final com íons de baixa energia, melhorando a qualidade das amostras produzidas. viabiliza a obtenção de imagens 3D de forma automatizada por meio de cortes sequenciais.

Técnicas

Aquisição de imagens

  • SE (Elétrons Secundários);
  • BSE (Elétrons retroespalhados).

Técnicas SEM

  • EDS (Espectroscopia de Raios-X por dispersão em energia);
  • EBSD (Difração de elétrons retroespalhados);
  • CL (Catodoluminescência) – otimizada para a região do visível e infravermelho próximo (400-1000 nm).

Técnicas FIB

  • Preparação de amostras: lamelas, pilares etc.;
  • Deposição de materiais (tungstênio e carbono);
  • Análise de cortes transversais;
  • Micro usinagem;
  • Obtenção de imagens 3D por cortes sequenciais.

MICROSCÓPIO ÓPTICO: NIKON ECLIPSE LV100ND

Especificações

O Microscópio Óptico Nikon Eclipse LV100ND manual permite a obtenção de imagens com magnificações de: 5x, 20x, 50x e 100x em campo claro e em campo escuro com iluminação refletida (episcópica) e transmitida (diascópica) provenientes de fontes de luz LV-LH50PC. Além disso, conta com uma fonte de luz de mercúrio C-HGFI para a obtenção de imagens de fluorescência de alta qualidade e brilho uniforme. Para a captura e processamento das imagens, o microscópio é equipado com uma câmera digital DS-Ri2, possibilitando o uso do software NIS-Elements Documentation, o qual apresenta ferramentas básicas de medição e de criação de relatórios.

Técnicas

  • Campo claro;
  • Campo escuro;
  • Fluorescência – excitação na região do verde (510-560nm);
  • Polarização;
  • Contraste de Interferência Diferencial (DIC).

SISTEMA DE TRANSFERÊNCIA (HQ GRAPHENE)

O sistema de transferência da HQ Graphene é utilizado para fabricação de heteroestruturas de van der Waals, permitindo o empilhamento preciso de camadas atômicas. Para isso, o sistema promove alto grau de liberdade nos eixos x, y e z, além de movimentos de inclinação e de rotação. Possui um microscópio óptico com magnificação máxima de 50x e uma câmera CCD para a visualização das amostras.